双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜  

Ferromagnetic GaCrN Films Fabricated by Dual-Energy Implantation of Cr+

作　　者：姜丽娟[1] 王晓亮[1] 刘超[1] 肖红领[1] 王翠梅[1] 冉军学[1] 胡国新[1] 李建平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期341-344,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目

摘　　要：采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.

关 键 词：稀磁半导体 GaCrN 离子注入 铁磁性 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]