AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器  

Hydrogen Sensors Based on AlGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes

作　　者：王新华[1] 王晓亮[1] 冯春[1] 冉军学[1] 肖红领[1] 杨翠柏[1] 王保柱[1] 王军喜[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第1期153-156,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)~~

摘　　要：通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.Hydrogen sensors based on A1GaN/GaN back-to-back Schottky diodes have been produced. Platinum is sputtered on the surface of the sample. The response of the device to 10% H2 in N2 is measured at 25--100℃. The oxygen in the air has great influ- ence on the current of the device. Finally,the variation of the Schottky barrier height induced by the hydrogen is calculated.

关 键 词：GAN 气体传感器 肖特基二极管 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]