AlN缓冲层条件下普通玻璃上InN的制备方法  

作　　者：苗丽华[1] 张东[2] 李昱材[2] 

机构地区：[1]沈阳医学院基础数理教研室 [2]沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳110136

出　　处：《科技创新导报》2014年第28期67-68,共2页Science and Technology Innovation Herald

基　　金：辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)

摘　　要：InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率,低场迁移率,是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通玻璃作为InN薄膜的基片,很大程度的降低了其成本价格。本实验以普通康宁玻璃为衬底基片,在AlN/普通康宁玻璃基片结构上,改变不同沉积温度制备,InN薄膜,得到InN/AlN/普通康宁玻璃结构的高功率高频率器件的初期薄膜结构。该研究论文制备的光电薄膜器件均匀性好,薄膜衬底成本廉价,可用于大面积制造大功率,高频率器件,降低其成本价格。

关 键 词：INN薄膜 ALN薄膜 普通玻璃衬底 半导体材料与器件 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]