刘军林

作品数：19被引量：82H指数：5
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供职机构：南昌大学更多>>
发文主题：硅衬底多量子阱SI衬底氮化镓GAN更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《光学学报》《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
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量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
《发光学报》2017年第7期923-929,共7页吕全江 莫春兰 张建立 吴小明 刘军林 江风益 
国家重点研发计划重点专项(2016YFB0400600;2016YFB0400601);国家自然科学基金重点项目(61334001);国家自然科学青年基金(21405076);国家自然科学地区基金(11364034);江西省自然科学基金(20151BAB207053);江西省自然科学基金(20161BAB201011)资助项目~~
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度,生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱,研究了两类量子阱组合对含V形坑InG aN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高分辨率X射线衍射仪...
关键词：硅衬底 InGaN/GaN蓝光LED 效率衰减 V形坑 量子阱结构 
V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响被引量：3
《发光学报》2017年第6期735-741,共7页聂晓辉 王小兰 莫春兰 张建立 潘拴 刘军林 
国家自然科学基金青年基金(21405076)资助项目~~
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随...
关键词：硅衬底 近紫外LED 低温GaN插入层 V形坑尺寸 光电性能 
五基色LED照明光源技术进展被引量：13
《照明工程学报》2017年第1期1-4,29,共5页刘军林 莫春兰 张建立 王光绪 徐龙权 丁杰 李树强 王小兰 吴小明 潘拴 方芳 全知觉 郑畅达 郭醒 陈芳 江风益 
国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600);国家自然科学基金(批准号:61334001)
现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒...
关键词：五基色 高品质 LED照明 黄光LED 
刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响被引量：1
《物理学报》2016年第8期363-369,共7页王光绪 陈鹏 刘军林 吴小明 莫春兰 全知觉 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101);江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~
研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果...
关键词：氮化镓 氮化铝 表面粗化 发光二极管 
垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响被引量：4
《发光学报》2016年第2期202-207,共6页高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益 
国家自然科学基金重点项目(61334001);863计划(2011AA03A101)资助项目
用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率（EQE）随垒温的变化关系。结果表明,在860~915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升。当垒...
关键词：LED 硅衬底 GAN 垒温 外量子效率 
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1
《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...
关键词：氮化镓 发光二极管 自由支撑 光致发光 
硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究被引量：2
《物理学报》2015年第17期355-362,共8页黄斌斌 熊传兵 汤英文 张超宇 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076;11364034;61334001;21406076;61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101;2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜转移至含有柔性黏结层的基板上,获得了不受衬底和支撑基板束缚的LED薄膜.利用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)研究了薄膜转移前后的应力变化,同时对其光致发光(PL)光谱的特性...
关键词：氮化镓 柔性基板 倒易空间 光致发光 
硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管被引量：17
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第6期14-31,共18页江风益 刘军林 王立 熊传兵 方文卿 莫春兰 汤英文 王光绪 徐龙权 丁杰 王小兰 全知觉 张建立 张萌 潘拴 郑畅达 
国家高技术研究发展计划(编号:2011AA03A101;2009AA03A199;2005AA311010;2003AA302160);国家自然科学基金(批准号:61334001;61040060;51072076;11364034;21405076);国家科技支撑计划(编号:2011BAE32B01);电子发展基金资助
经过近十年的探索,作者在国际上率先突破了硅衬底高光效Ga N基蓝光LED材料生长技术及其薄膜型芯片制造技术,制备了内量子效率和取光效率均高达80%的单面出光垂直结构Ga N基蓝光LED,并实现了产业化和商品化,成功地应用于路灯、球炮灯、...
关键词：硅衬底 高光效 氮化镓 发光二极管 
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量：3
《物理学报》2015年第10期270-275,共6页毛清华 刘军林 全知觉 吴小明 张萌 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101)资助的课题~~
在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电...
关键词：氮化镓 发光二极管 电压:电致发光 
硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究被引量：1
《物理学报》2014年第21期380-386,共7页黄斌斌 熊传兵 张超宇 黄基锋 王光绪 汤英文 全知觉 徐龙权 张萌 王立 方文卿 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076;11364034;61334001);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101;2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究.结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL...
关键词：GAN 热膨胀系数 内量子效率 热导率 
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