潘拴

作品数：5被引量：40H指数：4
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供职机构：南昌大学更多>>
发文主题：GAN硅衬底离子LEDGAN基蓝光更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《照明工程学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金国家科技支撑计划更多>>
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V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响被引量：3
《发光学报》2017年第6期735-741,共7页聂晓辉 王小兰 莫春兰 张建立 潘拴 刘军林 
国家自然科学基金青年基金(21405076)资助项目~~
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随...
关键词：硅衬底 近紫外LED 低温GaN插入层 V形坑尺寸 光电性能 
五基色LED照明光源技术进展被引量：13
《照明工程学报》2017年第1期1-4,29,共5页刘军林 莫春兰 张建立 王光绪 徐龙权 丁杰 李树强 王小兰 吴小明 潘拴 方芳 全知觉 郑畅达 郭醒 陈芳 江风益 
国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600);国家自然科学基金(批准号:61334001)
现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒...
关键词：五基色 高品质 LED照明 黄光LED 
InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响被引量：4
《物理学报》2016年第7期308-315,共8页齐维靖 张萌 潘拴 王小兰 张建立 江风益 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:21405076)资助的课题~~
采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED)结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响.结果显示:随超晶格厚度增加,样品的反向漏电流加剧;3...
关键词：超晶格厚度 反向漏电 V形坑 应力弛豫 
垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响被引量：4
《发光学报》2016年第2期202-207,共6页高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益 
国家自然科学基金重点项目(61334001);863计划(2011AA03A101)资助项目
用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率（EQE）随垒温的变化关系。结果表明,在860~915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升。当垒...
关键词：LED 硅衬底 GAN 垒温 外量子效率 
硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管被引量：17
《中国科学：物理学、力学、天文学》2015年第6期14-31,共18页江风益 刘军林 王立 熊传兵 方文卿 莫春兰 汤英文 王光绪 徐龙权 丁杰 王小兰 全知觉 张建立 张萌 潘拴 郑畅达 
国家高技术研究发展计划(编号:2011AA03A101;2009AA03A199;2005AA311010;2003AA302160);国家自然科学基金(批准号:61334001;61040060;51072076;11364034;21405076);国家科技支撑计划(编号:2011BAE32B01);电子发展基金资助
经过近十年的探索,作者在国际上率先突破了硅衬底高光效Ga N基蓝光LED材料生长技术及其薄膜型芯片制造技术,制备了内量子效率和取光效率均高达80%的单面出光垂直结构Ga N基蓝光LED,并实现了产业化和商品化,成功地应用于路灯、球炮灯、...
关键词：硅衬底 高光效 氮化镓 发光二极管 
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