陶喜霞

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：南昌大学更多>>
发文主题：硅衬底GAN氮化镓LED厚度更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
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垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响被引量：4
《发光学报》2016年第2期202-207,共6页高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益 
国家自然科学基金重点项目(61334001);863计划(2011AA03A101)资助项目
用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率（EQE）随垒温的变化关系。结果表明,在860~915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升。当垒...
关键词：LED 硅衬底 GAN 垒温 外量子效率 
p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响被引量：1
《发光学报》2011年第10期1069-1073,共5页陶喜霞 王立 刘彦松 王光绪 江风益 
国家自然科学基金(51072076;61040060);国家高技术研究发展"863"计划(2009AA03A199)项目;教育部长江学者和创新团队发展计划(IRT0730)资助的项目
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理...
关键词：LED GAN 垂直结构 出光 p层厚度 
牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：2
《物理学报》2011年第7期808-813,共6页王光绪 陶喜霞 熊传兵 刘军林 封飞飞 张萌 江风益 
教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家自然科学基金(批准号:51072076,61040060)资助的课题~~
本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬...
关键词：氮化镓 发光二极管.牺牲Ni退火 p型接触 
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