云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 陈鹏

陈鹏: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心更多>>; 发文主题：表面粗化ALN缓冲层氮化镓氮化铝硅衬底更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：江西省科技支撑计划项目国家自然科学基金国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>

检索结果分析

共条记录，以下是1-1

全选清除导出

视图：

排序：

刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响被引量：1: 《物理学报》2016年第8期363-369,共7页王光绪陈鹏刘军林吴小明莫春兰全知觉江风益; 国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101);江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~; 研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果...; 关键词：氮化镓氮化铝表面粗化发光二极管