毛清华

作品数:3被引量:11H指数:3
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供职机构:南昌大学更多>>
发文主题:绿光LED硅衬底SI衬底氮化镓ALGAN更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《光学学报》《物理学报》更多>>
所获基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技支撑计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
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p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量:3
《物理学报》2015年第10期270-275,共6页毛清华 刘军林 全知觉 吴小明 张萌 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101)资助的课题~~
在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电...
关键词:氮化镓 发光二极管 电压:电致发光 
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量:5
《光学学报》2014年第2期311-316,共6页刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益 
国家863计划(2011AA03A101;2012AA041002);国家自然科学基金(51072076);国家自然科学基金重点项目(61334001);国家自然科学基金地区科学基金(11364034);国家科技支撑计划(2011BAE32B01)
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(...
关键词:薄膜 氮化镓 氮化铝插入层 硅衬底 黄带发光 
p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量:3
《物理学报》2010年第11期8078-8082,共5页毛清华 江风益 程海英 郑畅达 
教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号:IRT0730);国家高新技术研究发展计划(批准号:2006AA03A128);江西省研究生创新基金(批准号:YC09A024)资助的课题~~
在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分...
关键词:氮化镓 p-AlGaN 绿光LED 量子效率 
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