Si基InGaN可见光器件研究进展  

Research Progress of InGaN Visible Light Devices on Si Substrate

作　　者：刘力玮 肖嘉滢 文灿 周楚翘 曹怡诺 林正梁 李彤彤 闫梓欣 王文樑[1] LIU Liwei;XIAO Jiaying;WEN Can;ZHOU Chuqiao;CAO Yinuo;LIN Zhengliang;LI Tongtong;YAN Zixin;WANG Wenliang

机构地区：[1]华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州510641

出　　处：《金属世界》2025年第1期13-24,共12页Metal World

基　　金：国家级大学生创新创业训练计划资助项目(202410561010)。

摘　　要：Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题。为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系统地研究并取得了重要进展。本文从材料位错密度调控、器件结构设计与器件集成3个方面讨论了Si基InGaN可见光器件的研究进展及面临的问题,并展望了其发展前景。

关 键 词：可见光通信 器件研究 位错密度 器件性能 器件结构 INGAN 器件设计 光电特性 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]