常米

作品数:6被引量:36H指数:4
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Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究被引量:9
《激光与红外》2012年第10期1161-1164,共4页王经纬 巩锋 刘铭 强宇 常米 周立庆 
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下...
关键词:硅基碲镉汞 分子束外延 工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层 
CdTe/Si复合衬底Ex-situ退火研究被引量:8
《激光与红外》2012年第8期917-920,共4页刘铭 周立庆 巩锋 常米 王经纬 王丛 
复合衬底CdTe/ZnTe/Si的晶体质量是导致随后外延的HgCdTe外延膜高位错密度的主要原因之一,因此如何提高复合衬底CdTe/Si晶体质量是确保硅基碲镉汞走上工程化的关键所在。降低复合衬底CdTe/Si位错密度方法一般有:生长超晶格缓冲层、衬底...
关键词:CdTe/Si MBE 晶体质量 Ex-situ退火 
3英寸Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量:8
《激光与红外》2012年第7期781-785,共5页巩锋 周立庆 王经纬 刘铭 常米 强宇 
随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通...
关键词:硅基碲镉汞 分子束外延 640×512器件 表征 
3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究被引量:20
《激光与红外》2011年第5期537-541,共5页周立庆 刘铭 巩锋 董瑞清 折伟林 常米 
报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化...
关键词:碲化镉 硅基 分子束外延 
相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜被引量:4
《半导体杂志》1999年第4期12-14,共3页王金义 常米 陈万熙 周立庆 朱建慧 吴人齐 
根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单,外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法,成功地生长出x = 0-21 ~0-23,表面光亮,结构完整的碲镉汞液相外延膜。
关键词:碲镉汞 液相外延 相平衡 外延生长 
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量:2
《红外与激光工程》1996年第6期47-54,共8页刘克岳 郎维和 王金义 张学仁 李美荣 常米 赵宏 
采用Te作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ20MCT晶体的生长研究;详细阐述了该方法MCT晶体的生长过程和生长机理;总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素;提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通...
关键词:HGCDTE 晶体生长 熔体生长 均匀性 红外材料 
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