相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜  

LPE of Mercury Cadmium Telluride by Equilibrium Formation of Solution

作　　者：王金义[1] 常米[1] 陈万熙 周立庆[1] 朱建慧[1] 吴人齐[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015

出　　处：《半导体杂志》1999年第4期12-14,共3页

摘　　要：根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法，成功地生长出ｘ ＝ ０－２１ ～０－２３，表面光亮，结构完整的碲镉汞液相外延膜。According to the equilibrium rule we developed a new method by which mercury cadmium telluride epilayers with x=0 21～0 23 have been grown This simple method make it easy to control epilayer composition. The as grown epilayer have a bright surface and a good crystal quality.

关 键 词：碲镉汞 液相外延 相平衡 外延生长 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]