王金义

作品数：9被引量：17H指数：2
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发文主题：碲镉汞红外探测器晶体生长液相外延HGCDTE更多>>
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发文期刊：《半导体杂志》《分析测试学报》《半导体技术》《红外与激光工程》更多>>
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碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
《人工晶体学报》2001年第4期383-388,共6页刘克岳 王金义 吴人齐 
本文利用碲镉汞膺二元固液T -X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究 ;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素 ,提出了存在的问题和改善的措施 ;认为在特定组分的固相线温度 (相图中的B点 )生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法 ...
关键词：磅镉汞 组分 均匀性 晶体生长方法 晶体结构 半导体材料 
Cd_(1-y)Zn_yTe晶体组分及均匀性的近红外光谱测试被引量：2
《分析测试学报》2000年第6期35-38,共4页刘克岳 王金义 杨立华 吴人齐 
阐述了Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分、组分均匀性测试的重要性及开展近红外光谱研究该晶体组分的必要性。采用日立３４０型光谱仪对ｙ在 ０～０．０６的Ｃｄ（１－ｙ） ＺｎｙＴｅ晶体作了室温近红外透射光谱研究，得出了有关晶体...
关键词：近红外光谱 碲锌镉晶体 组分测试 半导体 
HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制被引量：6
《半导体技术》2000年第2期38-42,共5页刘克岳 王金义 张学仁 赵宏 张健平 
阐述了 Cd Zn Te衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性 ;概括了 Cd Zn Te晶体生长的方法、原理和工艺步骤 ;分析了影响晶体质量 (单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性 )的因素 ,并提出了与质量相关的控制技术 ;介绍了 Cd...
关键词：CDZNTE 晶体半底 红外探测器 
相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜被引量：4
《半导体杂志》1999年第4期12-14,共3页王金义 常米 陈万熙 周立庆 朱建慧 吴人齐 
根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法，成功地生长出ｘ ＝ ０－２１ ～０－２３，表面光亮，结构完整的碲镉汞液相外延膜。
关键词：碲镉汞 液相外延 相平衡 外延生长 
外延衬底用CdZnTe晶体进展被引量：3
《激光与红外》1997年第4期215-218,共4页刘克岳 王金义 郎维和 
文中简要介绍了CdZnTe晶体用作HgCdTe外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了CdZnTe晶体的生长方法及其特点，总结了影响CdZnTe晶体生长和晶体质量的因素，提出CdZnTe晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。
关键词：外延衬底 晶体生长 CZT晶体 碲锌镉 
MCT晶体退火压力─温度关系及其分析
《红外与激光工程》1997年第4期41-44,共4页刘克岳 赵振香 王金义 郎维和 
采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降...
关键词：碲镉汞 晶体退火 红外光学材料 
Te溶剂垂直区熔法生长φ20MCT晶体组分控制研究被引量：2
《红外与激光工程》1996年第6期47-54,共8页刘克岳 郎维和 王金义 张学仁 李美荣 常米 赵宏 
采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结和分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。通...
关键词：HGCDTE 晶体生长 熔体生长 均匀性 红外材料 
溶质扩散法在三元晶体生长中之应用
《激光与红外》1995年第2期36-38,共3页侯清润 王金义 邓金程 李美荣 陶峰 
本课题为863计划资助
本文对溶质扩散法在三元晶体生长中的应用进行了综述。并着重介绍了Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体生长取得的最新实验结果和理论上的处理，指出该理论模型以及生产高Ｘ值的Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体的实验仍处于初始阶段。
关键词：溶质扩散法 三元晶体生长 CDZNTE 
长波碲镉汞材料的低温退火
《激光与红外》1995年第1期44-47,共4页王金义 杜冰 邓金程 侯清润 李美荣 
本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件，根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验，取得了满意的结果。对于０．７ｍｍ厚的样品，１９０～２２０℃下汞饱和等温退火５０～６...
关键词：碲镉汞 退火 低温 
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