长波碲镉汞材料的低温退火  

Low Temperature Annealing of Long Wave Mercury Cadmium Telluride

作　　者：王金义[1] 杜冰[1] 邓金程 侯清润[1] 李美荣 

机构地区：[1]华北光电技术研究所

出　　处：《激光与红外》1995年第1期44-47,共4页Laser & Infrared

摘　　要：本文分析和讨论了碲镉汞材料退火的微观机制和退火条件，根据分析的结果对加速旋转坩埚技术布里奇曼法生长的长波碲镉汞材料进行了低温退火实验，取得了满意的结果。对于０．７ｍｍ厚的样品，１９０～２２０℃下汞饱和等温退火５０～６０天可获得电学性能优良的ｎ型材料。７７Ｋ下载流子浓度ｎ＜５×１０１４ｃｍ－３，载流子迁移率μ＞１×１０５ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，少子寿命τ＞１μｓ。

关 键 词：碲镉汞 退火 低温 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]