复合衬底

作品数：23被引量：46H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：乔在祥冯少君薛玉明宋殿友刘浩更多>>
相关机构：中国科学院东莞市中镓半导体科技有限公司天津理工大学广东中图半导体科技股份有限公司更多>>
相关期刊：《半导体光电》《中国科学：技术科学》《光学学报》《激光与红外》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
复合衬底薄膜砷化镓太阳电池技术研究
《微纳电子技术》2025年第1期48-54,共7页郭哲俊 施祥蕾 周丽华 张占飞 钱勇 吴敏 李彬 王波 孙利杰 王训春 
航天八院青年科研基金(KJW-JT-QNKYJJ-2023-12)。
针对薄膜砷化镓(GaAs)太阳电池,提出了一种复合衬底结构及其一体化制备方法。采用微加工方法使该薄膜砷化镓太阳电池的复合式柔性衬底的厚度降低至15μm,薄膜GaAs太阳电池整体面密度低至95 g/m^(2),光刻形成的金属微孔使砷化镓与衬底背...
关键词：薄膜太阳电池 复合衬底 砷化镓(GaAs) 柔性薄膜电池 面密度 
超薄柔性薄膜太阳电池及柔性电池阵设计与分析
《中国航天》2024年第9期42-47,共6页郭哲俊 吴敏 施祥蕾 吴庆 李文超 张恩杰 
针对未来我国空间太阳能电站发展,轻质的薄膜太阳电池及柔性太阳电池阵设计与研究将是提高和实现轻量化、高性能发电能力的重要解决手段。通过开发一种复合衬底结构及其一体化工艺方法将薄膜砷化镓太阳电池的衬底厚度降低至15μm,薄膜...
关键词：复合衬底 薄膜砷化镓太阳电池 高压大功率薄膜太阳电池阵 
单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状
《人工晶体学报》2023年第5期857-877,共21页屈鹏霏 金鹏 周广迪 王镇 许敦洲 吴巨 郑红军 王占国 
国家重点研发计划(2022YFB3608602);北京市科技计划(Z181100004418009);国家自然科学基金(61927806)。
金刚石优异的物理性质使其成为下一代最有发展潜力的半导体材料之一。目前来看,基于微波等离子体化学气相沉积的异质外延可能是未来制备大尺寸单晶金刚石的最佳方法。在过去的三十年间,铱复合衬底上异质外延生长单晶金刚石取得了一定进...
关键词：金刚石 铱复合衬底 半导体 异质外延 偏压增强成核 微波等离子体化学气相沉积 
基于聚酰亚胺/石墨复合衬底的快速响应MEMS柔性温度传感器被引量：3
《半导体光电》2022年第6期1068-1074,共7页刘玉 时浩程 果春焕 王学文 杨卓青 
国家重点研发计划项目(2020YFB2008503);国家自然科学基金项目(61974088)。
针对现有柔性温度传感器衬底导热慢的问题,为快速监测轴承等曲面的温度,向聚酰亚胺(PI)中掺入3wt%石墨(GR),制备高导热复合材料,得到的GR/PI复合薄膜导热率达到0.777 W·m^(-1)·K^(-1),且具有良好的绝缘性。基于微加工技术,在GR/PI复...
关键词：复合薄膜衬底 柔性温度传感器 导热性优化 快速响应 
MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响
《激光与红外》2022年第5期726-729,共4页李震 高达 王丛 胡雨农 
Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Z...
关键词：碲化锌 碲化镉 迁移增强外延 粗糙度 半峰宽 
分子束外延材料表面平整度的研究被引量：1
《激光与红外》2021年第5期625-628,共4页王丛 高达 师景霞 谭振 
分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面...
关键词：表面平整度 SI 复合衬底 HGCDTE 
异质外延单晶金刚石的研究进展被引量：5
《中国科学：技术科学》2020年第7期831-848,共18页王伟华 代兵 王杨 舒国阳 刘本建 赵继文 李一村 刘康 房诗舒 杨世林 杨磊 韩杰才 朱嘉琦 
国家杰出青年科学基金(批准号:51625201);国家自然科学基金(批准号:51911530123,51702066);国家重点研发计划(批准号:2016YFE0201600)资助项目。
单晶金刚石具有优异的力、声、热、光、电等性质,而异质外延工艺是制备大尺寸单晶金刚石的一种重要手段.本文以CVD工艺所采用的c-BN、Pt、Si、SiC、Ir复合衬底等不同类型异质衬底为主线,以国内外开展该研究的代表性团队所取得主要成果...
关键词：异质外延 单晶金刚石 Ir复合衬底 大尺寸 横向外延过度生长 离轴衬底生长 
基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验被引量：4
《激光与红外》2019年第11期1353-1356,共4页王丛 强宇 高达 师景霞 
在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火...
关键词：正交设计 SI基 复合衬底 工艺优化 
PET复合衬底上梯度介质薄膜厚度的椭偏表征
《激光技术》2019年第4期585-590,共6页郭春付 张传维 李伟奇 李晓平 刘世元 
国家重点研发计划资助项目(2017YFF0204705)
为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚,采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法,通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO 2梯度折射率材料薄膜厚度的检测.结果表明,采用该方法测量的PET复合衬底上Ti...
关键词：测量与计量 聚对苯二甲酸乙二醇酯 复合衬底 介质膜 光谱椭偏 膜厚 
偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究被引量：1
《激光与红外》2018年第7期876-879,共4页王丛 高达 王经纬 强宇 周立庆 
国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的...
关键词：硅 碲化镉 偏转角Si衬底 分子束外延 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部