程鹏

作品数:7被引量:26H指数:3
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发文主题:INSB分子束外延锑化铟INSB薄膜晶体质量更多>>
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InSb分子束外延原位掺杂技术研究被引量:2
《激光与红外》2015年第7期817-820,共4页刘铭 邢伟荣 尚林涛 周朋 程鹏 
对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究,其中分别以Be作P型以及以Si、Te作N型的掺杂剂。实验采用半绝缘的GaAs衬底作为InSb分子束外延用衬底,通过采用低温生长缓冲层技术降低大失配应力,获得高质量InSb外延膜...
关键词:分子束外延 N型掺杂 P型掺杂 本征掺杂 
InSb薄膜分子束外延技术研究被引量:9
《激光与红外》2013年第11期1256-1259,共4页刘铭 程鹏 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双...
关键词:InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128 
InSb晶片材料性能表征与机理分析被引量:6
《激光与红外》2013年第10期1146-1148,共3页巩锋 程鹏 吴卿 折伟林 陈元瑞 
对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征。结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析。
关键词:InSb晶片材料 性能表征 区域分布 机理分析 
3in锑化铟晶片研磨工艺研究被引量:3
《红外》2013年第5期35-38,共4页于增辉 赵超 王志芳 程鹏 
随着现代光电器件工艺的不断改进以及焦平面器件像元数的不断增加,大尺寸晶片越来越受到工艺人员的重视,晶片研磨过程中的表面平整度或总厚度偏差(TotalThickness Variation,TTV)数值有所增加。为了满足工艺人员对大尺寸晶片的要求,降...
关键词:研磨 表面平整度 TTV 
InSb晶片清洗研究被引量:1
《红外》2012年第7期34-38,共5页赵超 于增辉 程鹏 
随着红外探测器件制备工艺的不断发展,人们对InSb晶片表面质量的要求也越来越高,但是晶片在生产过程中不可避免地会引进各种杂质。研究了一种利用兆声超声并结合药液去离子水清洗InSb晶片的方法,并对清洗后的InSb晶片进行了表面颗粒度...
关键词:INSB 兆声 SC-1 表面颗粒度 表面粗糙度 
大直径高质量锑化铟单晶的生长研究被引量:5
《红外》2009年第8期9-13,共5页王燕华 程鹏 王志芳 程波 陈元瑞 徐鹏艳 
锑化铟单晶是制备3μm~5μm红外探测器的重要材料。为了适应红外焦平面探测器大规模化发展的趋势,我们开展了高质量3in锑化铟单晶的生长研究。本文解决了大直径锑化铟单晶生长的关键技术,讨论了3in锑化铟单晶生长过程中的多晶原料提纯...
关键词:锑化铟 大直径 单晶 位错密度 
InSb晶片化学抛光研究被引量:3
《红外》2009年第7期14-17,共4页程鹏 王燕华 赵超 孔忠弟 
机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能。化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度。用低浓度的溴-甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光...
关键词:INSB SEM 溴-甲醇 化学抛光 
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