肖钰

作品数:11被引量:28H指数:4
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供职机构:华北光电技术研究所更多>>
发文主题:INSB盲元红外探测器红外焦平面探测器锑化铟更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《激光与红外》《红外》更多>>
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InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究被引量:1
《红外》2021年第7期9-16,共8页程雨 龚志红 肖钰 黄婷 温涛 亢喆 宁提 
研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前。通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有Al和As等...
关键词:区域性过热盲元 INSB 红外探测器 
InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究被引量:3
《红外》2021年第4期15-20,共6页程雨 李忠贺 谢珩 肖钰 黄婷 
InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能。通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效。进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳。通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊...
关键词:十字盲元 失效分析 InSb红外探测器 
InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器背面减薄技术研究被引量:1
《红外》2020年第8期15-20,共6页程雨 鲍英豪 肖钰 李春领 亢喆 刘铭 
在长波红外波段,InAs/GaSbⅡ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光...
关键词:INAS/GASB 单点金刚石机床切削 表面形貌 机械化学抛光 长波红外探测器 
碲镉汞薄膜分步化学抛光技术研究
《激光与红外》2020年第6期703-706,共4页肖钰 张国旗 徐长彬 李春领 
针对碲镉汞薄膜化学抛光过程中容易产生材料组分均匀性变差、影响芯片性能的现象,提出了一种分步化学抛光技术。材料表面分析和组分分析结果表明,分步化学抛光可以降低材料表面的粗糙度,改善化学抛光材料组分的均匀性,有效地去除材料表...
关键词:碲镉汞薄膜 化学抛光 分步 均匀性 
锑化铟焦平面器件背面减薄后的表面处理方法研究被引量:4
《红外》2020年第6期7-11,共5页肖钰 李家发 王淑艳 曹凌霞 李海燕 
陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(17JS105);西安石油大学研究生创新与实践能力培养计划项目(YCS19212066)。
经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差。因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式...
关键词:锑化铟 非接触式清洗 表面处理 划道 
锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法
《红外》2020年第1期7-10,共4页肖钰 杨刚 范博文 宁提 刘震宇 
提出了一种锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法。利用该方法,无需将器件背面减薄就能进行盲元测试与分析。基于这种封装方式,将器件倒置后,从芯片正面吸收光的照射,在互连、灌胶以及每一步磨抛工艺步骤后均可进行测试和分析。结果表明,...
关键词:锑化铟 盲元分析 红外焦平面器件 
单点金刚石切削InSb单晶的研究被引量:4
《红外》2019年第2期7-13,共7页程雨 曹凌霞 肖钰 
InSb红外焦平面探测器一直在中波波段占据重要地位。随着科技的发展,迫切需要针对InSb单晶的精密加工方法。采用单点金刚石切削(Single Point Diamond Turning,SPDT)精密机床对InSb晶体进行减薄工艺开发。在机床加工工艺中,可变参数有...
关键词:单点金刚石切削 精密加工 INSB 
碲锌镉晶体表面磨抛方法研究被引量:3
《红外》2018年第11期11-16,共6页程雨 李春领 肖钰 
碲锌镉是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。随锌含量不同,其禁带宽度可连续调节,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优良衬底。介绍了多种碲锌镉晶体的磨抛方法,包括手工研磨、机械抛光、化学抛光和机械化学抛光。借助多种表征...
关键词:碲锌镉 磨抛 机械化学抛光 精密加工 
表面预处理对InSb钝化层界面的影响被引量:4
《激光与红外》2014年第8期902-905,共4页肖钰 史梦然 宁玮 段建春 
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb衬底和钝化层之间的界面性能,...
关键词:INSB 钝化 预处理 C—V 
InSb薄膜分子束外延技术研究被引量:9
《激光与红外》2013年第11期1256-1259,共4页刘铭 程鹏 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双...
关键词:InSb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128 
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