RF-PECVD

作品数：56被引量：103H指数：6
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RF-PECVD生长参数对石墨烯薄膜品质的影响
《真空科学与技术学报》2025年第2期98-105,共8页袁强华 任江枫 殷桂琴 
国家自然科学基金项目(12165019)。
对比不同工艺参数条件下生长的石墨烯薄膜的形貌和品质,分别研究了高频功率、放电气压、气体流量比、生长时间、生长温度以及基底种类对双频放电的RF-PECVD制备的石墨烯薄膜品质影响。实验结果表明,石墨烯的缺陷程度随着高频功率的增加...
关键词：射频等离子体增强化学气相沉积 双频放电 石墨烯薄膜 
RF-PECVD制备铜基石墨烯薄膜及其力学性能研究
《热加工工艺》2025年第2期59-63,67,共6页马会中 及元书 张兰 
采用射频等离子体化学气相沉积设备,以甲烷为气相碳源,以紫铜箔片为基底制备石墨烯薄膜镀层。研究了温度对其力学性能的影响。结果表明:随反应温度的增加,铜基石墨烯薄膜的平均摩擦系数呈下降趋势,其显微硬度与抗腐蚀能力均呈先上升后...
关键词：射频等离子体化学气相沉积 铜基石墨烯薄膜 力学性能 温度因素 
铜金属表面制备类金刚石薄膜及其力学性能与腐蚀性能的研究
《热加工工艺》2024年第2期86-89,96,共5页马会中 丁后文 张兰 
中原院士基金项目(2019-12-01)。
采用厚度0.025 cm纯铜金属箔片为基体,甲烷作为碳源,氢气为工作辅助气体,通过RF-PECVD法,改变射频功率制备类金刚石薄膜(DLC)涂层,研究了射频功率对镀DLC薄膜铜金属微观形貌、硬度、摩擦系数和弹性模量的影响。通过SEM、EDS、拉曼光谱、...
关键词：铜金属 RF-PECVD 射频功率 力学性能 耐腐蚀性能 
用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜被引量：8
《材料研究学报》2021年第2期154-160,共7页熊文文 何嵩 郑淞生 程其进 沈宏勋 陈朝 
福建省科技厅工业引导项目(2017H0038)。
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(V_(CH4)/V_(Ar))分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜,用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、...
关键词：材料结构与性能 稳定制备 RF-PECVD 类金刚石薄膜 流量比值 衬底位置 
RF-PECVD制备硼掺杂氢化非晶硅氧(a-SiO_x∶H)薄膜及其光电特性研究
《太阳能学报》2018年第6期1646-1650,共5页刘小娇 施光辉 殷俊传 刘虹霞 涂晔 胡志华 
国家科技部国际科技合作专项项目(S2012ZR0054)
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,在不同CO2与硅烷气体流量比（RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0）、衬底温度（TS=200℃）、乙硼烷掺杂浓度（RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%）、高氢稀释比（RH=[H2]/[SiH4]=200）、高气压...
关键词：氢化非晶硅氧 硼掺杂 激活能 傅里叶红外谱 
RF-PECVD方式沉积DLC膜中边界扰动现象的探讨研究
《中国科技纵横》2016年第23期216-217,共2页白凯鑫 朱震 雷亚贵 陈生 
类金刚石膜(Diamond Like Carbon)因其优异的物理和化学性能,如高红外透过率,高硬度,低摩擦系数,高耐腐蚀性,高电阻率,高导热率,高化学稳定性等,被科学界誉为二十一世纪的全能材料.本文通过对一起掉膜成因的定性分析,利用等离子体的基...
关键词：DLC RF--PECVD 等离子体 边界扰动 
H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响被引量：3
《电子器件》2015年第3期485-488,共4页程自亮 蒋向东 王继岷 刘韦颖 连雪艳 
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在...
关键词：a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理 
磷掺杂比例对a-Si∶H薄膜太阳电池窗口层光电性能的影响
《半导体光电》2015年第2期233-235,318,共4页程自亮 蒋向东 王继岷 刘韦颖 连雪艳 
采用RF-PECVD法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜作为太阳电池窗口层。通过椭偏仪、Keithley 4200对所制备样品进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、消光系数、折射率、光学带隙及电导率等的影响。实验表明:薄膜...
关键词：磷掺杂 a-Si∶H RF-PECVD 电导率 光学性能 
硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响被引量：2
《人工晶体学报》2015年第4期933-938,共6页乔治 解新建 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304)
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[22...
关键词：RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池 
Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究被引量：6
《激光与光电子学进展》2015年第1期233-237,共5页杨永亮 岳莉 李娜 唐昊龙 
凯里学院博士专项基金(BS201327);黔东南州科技计划(黔东南科合J字[2014]4003号);贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教合KY字[2012]061号);贵州省科学技术基金博士基金(黔科合J字[2014]2148)
为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器,并以氩气为运载气体,正丁烷为反应物,在硅基底上实现了以液态物质四甲基硅烷(TMS)为前...
关键词：薄膜 类金刚石 应力 热稳定性 
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