晶化率

作品数：67被引量：205H指数：8
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基于相变材料GST与孔径共享宽带宽消色差透镜的设计
《西北工业大学学报》2023年第6期1229-1234,共6页吕淑媛 孟飞 罗文峰 白雨池 王荣 
提出了在超构透镜结构上采用孔径共享协同操作的方法,根据散单元输出相位与频率呈线性关系,再结合调控相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)晶化率m值,在设定的波段内合理选择散射单元的尺寸,不同波长入射光经过超表面后能产生符合统一焦距要求...
关键词：消色差超构透镜 相变材料 晶化率 孔径共享 
基于相变材料的可调谐滤波开关
《现代应用物理》2023年第2期137-143,共7页张文琪 汪剑波 
吉林省教育厅科学技术研究基金资助项目(JJKH20220724)。
基于相变材料GexSbyTez(GST)可在非晶态、晶态及二者间的任意相态中切换,使本身的电磁属性发生显著变化。将这一独特的相变特性GST与超表面结合,设计了一种可用于红外波段的宽带滤波开关,并计算了GST不同结晶状态下的透射强度,实现了GS...
关键词：超表面 相变材料 晶化率 宽带 红外 
冷喷涂铁基非晶复合涂层的制备、微观组织及摩擦性能被引量：7
《稀有金属材料与工程》2021年第6期2186-2193,共8页李旭 王强 毛轩 牛文娟 王璐 李楠 韩鹏 
国家自然科学基金(51801143);陕西省自然科学基金(2017JZ012);陕西省教育厅专项(18JK0445)。
采用液氮-室温循环深冷处理工艺方法对Fe87.4Cr_(2).5Si6.8B_(2).4C0.9非晶合金粉末进行预处理,通过调控冷喷涂工艺参数,成功在6061铝合金基体表面制备非晶涂层。同时研究了深冷处理工艺对非晶粉末沉积行为以及涂层微观组织的影响机理,...
关键词：冷喷涂 循环深冷处理 非晶涂层 晶化率 摩擦磨损性能 
沉积温度对等离子体化学气相沉积制备硅氧薄膜微结构的影响
《人工晶体学报》2021年第3期509-515,共7页由甲川 赵雷 刁宏伟 王文静 
国家自然科学基金面上项目(61674151);中国科学院“变革性洁净能源关键技术与示范”战略性先导科技专项课题(XDA21060500);北京市科技计划课题(Z181100004718003)。
利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,并研究了薄膜材料性能与微结构的变化规律。随着沉积温度的增加,薄膜内的氧含量(C O)下降,晶化率(X C)也...
关键词：硅氧薄膜 纳米晶硅氧 等离子体化学气相沉积 沉积温度 晶化率 氧含量 氢含量 
计算机模拟微晶硅薄膜太阳电池量子效率
《电源技术》2018年第8期1184-1186,1229,共4页康健 马骁 张振友 刘达 
太阳电池的性能参数不仅受到本征层厚度的影响,也受本征活性层晶化率影响。基于AMPS-1D仿真软件,在模拟无缓冲层和最佳缓冲层两种条件下,计算不同本征层厚度和晶化率时电池相关参数。计算数据表明,缓冲层厚度在100 nm时,太阳电池性能最...
关键词：太阳电池 晶化率 最佳缓冲层 
单晶硅外延生长晶化硅薄膜的研究被引量：1
《人工晶体学报》2017年第12期2337-2342,共6页杨启鸣 杨雯 段良飞 姚朝辉 杨培志 
国家自然科学基金联合基金(U1037604);云南省基础研究重点项目(2017FA024)
采用P型单晶硅片为衬底,并经混合酸溶液腐蚀抛光、清洗后,利用射频磁控溅射镀膜系统在其表面制备非晶硅薄膜;再结合快速光热退火工艺,于N2气氛下480℃退火30 min,得到晶化硅薄膜;利用光学金相显微镜、XRD衍射仪和拉曼散射光谱(Raman)仪...
关键词：诱导晶化 外延 退火 硅薄膜 晶化率 
N型氢化纳米晶硅氧薄膜的制备及其光电特性的研究
《通化师范学院学报》2017年第10期48-50,54,共4页王奉友 郜艳波 杨景海 
国家自然科学基金项目(61475063;61505067;21576111)
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的方式,以硅烷(SiH_4)、氢气(H_2)、磷烷(PH_3)以及二氧化碳(CO_2)等气体为原料,制备具有宽带隙、高电导特性的n型氢化纳米晶硅氧(n-nc-SiO_x:H)薄膜,并对其进行了结构分析、暗电导测试和透射反...
关键词：等离子体化学气相沉积 纳米晶硅氧 光学带隙 晶化率 
磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响被引量：3
《材料导报》2016年第2期53-55,84,共4页骆旭梁 王思源 王宙 雍帆 付传起 
金州新区科技计划高新技术研究开发计划.培育专项(2013-GX1-002)
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜...
关键词：真空蒸镀 多晶硅薄膜 磷掺杂 晶化率 
玻片基板温度对磷掺杂真空蒸镀多晶硅薄膜的影响
《材料保护》2015年第12期57-58,8-9,共2页迟建华 骆旭梁 王思源 付传起 王宙 
金州新区科技计划高新技术研究开发计划.培育专项(2013-GX1-002)资助
为进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀法结合金属铝诱导退火处理在玻璃衬底上制备了掺杂磷的多晶硅薄膜。采用扫描电镜、激光拉曼光谱仪等研究了基板温度对磷掺杂多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随...
关键词：多晶硅薄膜 基板温度 磷掺杂 真空蒸镀 晶化率 
掺磷nc-Si∶H薄膜的微结构与光电特性
《人工晶体学报》2015年第10期2756-2761,共6页刘利 马蕾 吴一 范志东 郑树凯 刘磊 彭英才 
国家自然科学基金青年科学基金(61204079);河北省自然科学基金(E2012201088;F2013201196);河北省高等学校科学技术研究项目(2011237;ZH2012019);河北省青年拔尖人才计划(2013)
采用常规射频等离子体增强化学气相沉积方法,以高氢稀释的Si H4为源气体和以PH3为掺杂剂,制备了磷掺杂的氢化纳米晶硅薄膜。结果表明,薄膜的生长速率随PH3/Si H4流量比（Cp）增加而显著减小。Raman谱的研究证实,随Cp增加,薄膜的晶化率...
关键词：磷掺杂氢化纳米晶硅薄膜 晶化率 界面体积分数 光吸收系数 暗电导率 
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