廉瑞凯

作品数:1被引量:8H指数:1
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供职机构:长春理工大学更多>>
发文主题:GAN材料特性ALN缓冲层ALNAL更多>>
发文领域:理学机械工程电子电信更多>>
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预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响被引量:8
《中国激光》2013年第1期158-162,共5页廉瑞凯 李林 范亚明 王勇 邓旭光 张辉 冯雷 朱建军 张宝顺 
国家自然科学基金(61176126;61006084);杰出青年基金(60925017)资助课题
主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面...
关键词:材料 GAN SI(111) ALN缓冲层 预辅Al 应变状态 
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