徐俞

作品数：9被引量：17H指数：3
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：氮化物氮化镓单晶石墨烯低应力更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《人工晶体学报》《激光与光电子学进展》更多>>
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石墨烯上异质远程外延GaN的研究
《人工晶体学报》2023年第5期894-900,共7页徐建喜 王钰宁 徐俞 王建峰 徐科 
国家自然科学基金面上项目(62174173)。
远程外延是一种用于生产单晶、独立式薄膜和结构的新兴技术,该方法使用二维范德瓦耳斯材料作为半透明夹层,实现外延生长及外延层在二维层界面的剥离。本文研究了在蓝宝石衬底上利用单层石墨烯作中间层异质远程外延GaN成核层、GaN薄膜。...
关键词：GAN 石墨烯 MOCVD 异质远程外延 表面粗糙度 位错密度 
高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究
《人工晶体学报》2023年第5期805-811,共7页岳龙 徐俞 王建峰 徐科 
国家自然科学基金面上项目(62174173)。
使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm^(-2),分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.0714 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 ...
关键词：GAN 微型发光二极管 激光剥离 准分子激光器 成品率 平整度 
Micro-LED的侧壁损伤以及光学特性
《人工晶体学报》2023年第5期812-817,共6页蔡鑫 徐俞 曹冰 徐科 
国家自然科学基金重点项目(61734008);江苏省重点研发计划(BE2021008-3)。
GaN基微型发光二极管(Micro-LED)作为新型显示技术有着广泛的应用前景,在近些年得到了快速的发展。但随着尺寸的降低,Micro-LED的发光效率急剧降低,主要是由于侧壁损伤的影响。本文通过光刻工艺和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了5、10...
关键词：Micro-LED 侧壁损伤 侧壁钝化 尺寸 光学特性 
AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究被引量：2
《人工晶体学报》2022年第7期1158-1162,共5页李路 徐俞 曹冰 徐科 
国家自然科学基金重点项目(61734008,62174173);江苏省重点研发计划(BE2021008-3)。
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属...
关键词：ALN薄膜 ALGAN材料 紫外LED 异质外延 纳米级孔洞 
宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究
《人工晶体学报》2021年第3期416-420,共5页陈王义博 徐俞 曹冰 徐科 
国家自然科学基金重点项目(61734008);国家重点研发计划(2017YFB0404100)。
GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO_(2),并用光刻的方法将其制...
关键词：自支撑GaN 侧向外延 氢化物气相外延 宽周期掩膜法 半导体 
基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器被引量：6
《激光与光电子学进展》2020年第23期297-304,共8页袁志豪 徐俞 曹冰 王钦华 
国家重点研发计划(2017YFB0404100)。
石墨烯作为一种特殊的二维材料,具有十分优异的物理性质,将石墨烯和微纳器件相结合已经成为当今的研究热点之一。在中红外到太赫兹波段,石墨烯可以激发表面等离子体,用于实现多功能可调谐器件。将石墨烯等离子体与硅基亚波长金属光栅相...
关键词：光学器件 光调制器 石墨烯 可调谐性 微纳光学 红外光 
氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展被引量：4
《人工晶体学报》2020年第11期1970-1983,共14页张育民 王建峰 蔡德敏 徐俞 王明月 胡晓剑 徐琳 徐科 
国家重点研发计划(2017YFB0404101,2017YFB0403000);国家自然科学基金(61704187);中国科学院前沿科学重点研究计划项目(QYZDB-SSW-SLH042)。
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,...
关键词：氢化物气相外延生长 氮化镓 晶体生长 掺杂 光电性能 缺陷 
高Q值GaN碟状微米谐振腔的光学特性研究被引量：2
《光学学报》2020年第12期172-176,共5页何耿 徐俞 曹冰 王钦华 徐科 
国家自然科学基金国家重点项目(61734008);国家自然科学基金(61574097,61604170,61604169);国家重点研发计划(2017YFB0404100);国家重大科研仪器设备研制专项(11327804)。
通过氢化物气相外延(HVPE)方式在蓝宝石衬底上获得了GaN微米碟,其几何形态为规则的正六边形且表面平整,直径约为27μm,高度为15μm。光致发光(PL)实验结果表明,微米碟垂直方向和水平方向的光学谐振模式存在差异,其中水平方向支持回音壁...
关键词：光学器件 氮化镓 回音壁模式 微米碟激光器 紫外激光 
石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究被引量：3
《人工晶体学报》2020年第5期794-798,共5页周浩 徐俞 曹冰 徐科 王钦华 
国家重点研发计划(2017YFB0404100)。
本文研究了在石墨烯上生长GaN薄膜时晶体取向的变化。采用AlN成核层辅助生长,GaN由取向相差较大的小晶粒,逐渐合并为与石墨烯取向一致的晶粒,最终形成了约4.6μm厚的GaN薄膜。通过EBSD和XRD证实了GaN晶体取向一致性的提高,拉曼光谱也表...
关键词：GAN 石墨烯 ALN 晶体取向 
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