立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究  

作　　者：赵传阵[1] 修向前[1] 张荣[1] 谢自力[1] 刘斌[1] 刘占辉[1] 颜怀跃[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京210093

出　　处：《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助

摘　　要：利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.

关 键 词：GAN 氢化物气相外延 流体动力学 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]