颜怀跃

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：GAN氢化物气相外延流体动力学立式氮化镓更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《功能材料》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省创新学者攀登项目更多>>
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Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长被引量：1
《功能材料》2011年第3期509-511,515,共4页颜怀跃 修向前 华雪梅 刘战辉 周安 张荣 谢自力 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03A198);国家自然科学基金资助项目(60721063,60820106003,60731160628);南京大学扬州光电研究院基金资助项目(2008008)
在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN...
关键词：氢化物气相外延 HVPE SI GAN 
立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4
《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵 修向前 张荣 谢自力 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...
关键词：GAN 氢化物气相外延 流体动力学 
氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期190-192,201,共4页刘战辉 修向前 张荣 谢自力 颜怀跃 施毅 顾书林 韩平 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628;60710085;60776001;60820106003);江苏省创新学者攀登项目(BK2008019);南京大学研究生科研创新基金资助
采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。由腐蚀...
关键词：位错 氮化镓 氢化物气相外延 X射线衍射 
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