吴靓臻

作品数：6被引量：14H指数：2
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供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
发文主题：硅锗合金应变SIX热应力SIO2薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《华南师范大学学报（自然科学版）》《低温物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为
《固体电子学研究与进展》2008年第1期8-11,共4页赵传阵 唐吉玉 肖海霞 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢...
关键词：硅锗合金 少数载流子浓度 低温特性 掺杂浓度 
应变SiGe层中本征载流子浓度的计算被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期449-451,467,共4页赵传阵 唐吉玉 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 
采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子...
关键词：锗硅合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度 掺杂浓度 
p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制
《Journal of Semiconductors》2007年第6期873-877,共5页赵传阵 唐吉玉 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变...
关键词：硅锗合金 内建电场 三角形Ge分布 矩形三角形Ge分布 高斯分布 
应变Si_(1-x)Ge_x层中p型杂质电离常温和低温特性
《低温物理学报》2007年第1期57-60,共4页赵传阵 唐吉玉 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge...
关键词：硅锗合金 少数载流子 低温特性 掺杂浓度 
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