中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征  

作　　者：左开芬[1] 张纯[1] 孟祥提[1] 苏庆善[1] 陆余发 

机构地区：[1]清华大学核能技术设计研究院

出　　处：《稀有金属》1996年第5期394-396,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（ＰＡＴ）已成为研究材料中微观缺陷的有...

关 键 词：中子辐照 直拉单晶硅 正电子淹没 点缺陷 

分 类 号：O785[理学—晶体学]