中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响  

Influence of Neutron Radiation on Performance of Color CMOS Image Sensors

作　　者：孟祥提[1] 康爱国[1] 黄强[1] 

机构地区：[1]清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084 清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084 清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期583-587,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:10375034)

摘　　要：对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图像上出现许多大而密的斑点和条纹,图像上有很多白点和白点串;经过长时间室温退火后的图像质量没有明显改善.文章初步探讨了CMOS图像传感器的辐照损伤机理.

关 键 词：彩色CMOS图像传感器 中子辐照 Γ射线辐照 输出特性 辐照损伤 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学]