MOS工艺

作品数：24被引量：8H指数：1
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基于HVCMOS工艺的H桥驱动电路版图设计被引量：1
《电子技术应用》2021年第6期35-39,共5页李芳 焦继业 马彩彩 
介绍了基于HVCMOS工艺的低成本、高集成度、强驱动性能功率集成电路(Power IC,PIC)H桥的设计实现。建立的金属互连线评估模型可在设计早期对H桥物理版图方案进行优差性判断,不依赖设计后仿真,从而提高设计效率。H桥不同互连线设计方案...
关键词：HVCMOS H桥 高集成度 低导通内阻 
东芝推出适用于工业设备的100V大电流光继电器
《电子质量》2021年第2期61-61,共1页
东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")近日宣布,推出新款光继电器--"TLP241B",该款大电流光继电器采用DIP4封装,适用于可编程逻辑控制器和I/O接口等工业应用。样品提供和量产现已开始。TLP241B集成了基于东芝最新一代U-MOS工艺的MOSF...
关键词：可编程逻辑控制器 输出端电压 存储装置 电子元件 MOS工艺 TLP 东芝 I/O接口 
45 nmCMOS工艺三模冗余加固锁存器的性能评估
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2020年第3期364-369,共6页黄正峰 王敏 李雪筠 鲁迎春 倪天明 
国家自然科学基金资助项目(61874156,61574052);安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149);安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)。
集成电路器件处在辐射敏感环境中时,易受到粒子轰击产生单粒子效应,使得电路的逻辑值发生翻转,影响电路的可靠性。为了提高电路的可靠性,需要针对单粒子效应引起的单粒子翻转(single event upset,SEU)问题进行加固研究,三模冗余(triple ...
关键词：三模冗余(TMR) 表决器 容错 晶体管级 
基于MOS工艺的压控振荡器的设计
《电子世界》2016年第24期136-136,共1页殷万君 
2015年四川信息职业技术学院院级科学项目智能密码锁的研究成果
压控振荡器是电子电路中应用广泛的一种电路,随着集成电路的发展,在设计MOS型压控振荡器时,需要考虑其应用场合和起振条件及输出频率。
关键词：压控振荡器 电路 频率 
基于MOS工艺的单级运算放大器实验教学改革被引量：4
《实验室研究与探索》2015年第4期152-155,共4页殷树娟 
国家自然科学基金项目(61376057);北京市科技新星计划项目(Z131109000413029);北京信息科技大学高教研究项目(2013GJYB14)
随着高校的扩招,中国高等教育逐步走向大众化教育。如何发挥高校服务社会经济发展的功能,服务地方社会经济发展,已成为普通高等院校的大学生教育的基本出发点。培养具有创新精神的应用型人才是现阶段各普通高等院校对本科生的基本目标...
关键词：单级运算放大器 实验教学 MOS工艺 
MOS工艺下叉指夹心集成电容的结构及其模拟分析被引量：1
《电子设计工程》2014年第12期114-116,共3页曹新亮 崔巍 
延安大学回校博士科研启动基金项目(YD2010-03)
针对较大电容难以集成的实际,提出叉指夹心集成电容结构,采用横向电通量增加电容策略,在顶层上布铝导线呈平铺叉指夹心结构,涂盖Si3N4为介质,通过选择考虑边缘效应的模型进行仿真模拟,观测这种结构下两种连接方式电容的大小,得到了一定...
关键词：电容集成 MOS工艺 叉指夹心结构 介电常数 
ADXRS624:陀螺仪传感方案
《世界电子元器件》2010年第9期16-17,共2页
ADI公司的ADXRS624是完整的角速度传感器（陀螺仪），采用ADI公司的表面微机械加工工艺。ADXRS624在一块芯片上集成了所有所需的电子组件，功能全面、成本低廉。该器件的制造工艺同高稳定性汽车气囊加速度计一样，都采用大容量BiMOS工艺。
关键词：角速度传感器 陀螺仪 微机械加工工艺 ADI公司 MOS工艺 电子组件 加速度计 汽车气囊 
专业技术能力
《集成电路通讯》2010年第2期40-44,共5页
专用半导体集成电路及特种器件研制能力 专用半导体集成电路以低功耗、低噪音、耐高过载为主要特色，广泛应用于引信、导引头、红外热像仪、单兵系统等高新武器装备中。拥有一条4英寸、1．5微米半导体双极与结型场效应管兼容工艺、薄栅...
关键词：技术能力 半导体集成电路 结型场效应管 模拟器件 红外热像仪 MOS工艺 宽带放大器 探测传感器 
π-MOS VII MOSFET
《世界电子元器件》2009年第3期42-42,共1页
Toshiba America Electronic Components推出新系列高电压π-MOSVII MOSFET。π—MOS VII MOSFET结合了先进的工艺技术与平面处理工艺，对电压和RDS（ON），额定功率的选择范围更宽。Toshiba公司开发的新产品阵容明确了市场对AC／DC和...
关键词：MOSFET Toshiba公司 Components MOS工艺 RDS(ON) Π 单元设计 AC/DC 
射频芯片的攻击技术分析及安全策略
《中国防伪报道》2009年第3期44-47,共4页卢小冬 周东平 
以采用磁耦合和CMOS工艺的RFID产品为例,简要介绍了此类芯片的构成,在列举各种破坏性/非破坏性攻击手段的基础上,从软/硬件角度分析现有的各种安全措施如何在设计阶段应对这些攻击,或使攻击变得难以实施,以及如何避免不良的设计。
关键词：攻击手段 射频芯片 安全策略 技术分析 RFID产品 非破坏性 设计阶段 MOS工艺 
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