RDS(ON)

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安世半导体推出低RDS(on)功率MOSFET
《电子质量》2020年第2期42-43,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市...
关键词：功率MOSFET 安全工作区 MOSFET器件 漏极电流 栅极电荷 分立器件 半导体 市场领先 
安世半导体低RDS(on)功率MOSFET问市树立25V、0.57mΩ新标杆
《半导体信息》2020年第1期11-12,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25V、0.57mΩ的新标准。
关键词：功率MOSFET MOSFET器件 分立器件 半导体 新标杆 RDS PSM 安世 
UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗
《半导体信息》2019年第6期3-5,共3页
美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mQ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3...
关键词：电池充电器 DC/DC转换器 固态断路器 碳化硅 RDS FET SiC 逆变器 
意法半导体高功率电子熔断器集成增值保护功能,提高安全性和可靠性
《电源世界》2018年第7期12-13,共2页
中国,2018年7月16日——意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS(ON)的VIPower^TM MOSFET功率管,在8V到48V的宽输入电压范围内,能够维持高达4A的连续电流,并且插入损耗低,将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的...
关键词：意法半导体 功率电子 熔断器 保护功能 集成 可靠性 安全性 RDS(ON) 
宜普电源转换公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶体管
《半导体信息》2018年第5期2-3,共2页
位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的宜普电源转换公司（EPC）公司推出了一款100VGaN晶体管,最大RDS（on）为25mΩ,小尺寸的高效电源转换的脉冲输出电流为37A——EPC2051。这款晶体管主要将硅上eGaN功率场效应晶体管（FET）在电力管理上...
关键词：功率晶体管 电源转换 功率场效应晶体管 RDS(ON) 加利福尼亚州 输出电流 电力管理 小尺寸 
意法半导体推出全新VIPower^(TM) MOSFET功率管
《半导体信息》2018年第4期14-14,共1页
意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS（ON）的VI—PowerTM MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。
关键词：MOSFET 意法半导体 功率管 RDS(ON) 低导通电阻 电压范围 连续电流 插入损耗 
为离线开关电源选择合适的MOSFET
《今日电子》2017年第10期38-39,共2页MARTY BROWN 
今天,硅MOSFET的选择可以分为两个主要部分：平面/沟槽MOSFET和超极结MOSFET。平面MOSFET的有源区域靠近裸片的表面（见图1a）。为了减少RDS（on）,需要额外的管芯面积,并且为了增加MOSFET的电压,必须使管芯更厚。相比之下,超极结MOSFE...
关键词：MOSFET 电源选择 离线开关 RDS(ON) 有源区 面积 平面 管芯 
OptiMOS推出线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区
《半导体信息》2017年第4期12-13,共2页
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS（on））与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS（on）与线性模式功能之间的平衡问题。
关键词：RDS(ON) 场效应晶体管 安全工作区 线性模式 MOSFET 功率场效应管 低导通电阻 股份公司 
60A智能功率级
《今日电子》2017年第4期68-68,共1页
使用电感器DCR检测来监控功耗，需要使用类似热敏电阻这样的外部元器件来进行温度补偿。与前面这种方案不同的是，SiC64551SiC645A利用低边MOSFET的导通电阻RDS（ON）进行检测，分别用5mV／A和8mV／C信号准确地报出电流（IMON）和温度（...
关键词：RDS(ON) 功率 智能 温度补偿 MOSFET 热敏电阻 导通电阻 外部电路 
Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET
《中国集成电路》2014年第3期3-3,共1页
日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016...
关键词：P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻 电子设备 INC 
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