为离线开关电源选择合适的MOSFET  

作　　者：MARTY BROWN 

机构地区：[1]D3 Semiconductor公司

出　　处：《今日电子》2017年第10期38-39,共2页Electronic Products

摘　　要：今天,硅MOSFET的选择可以分为两个主要部分：平面/沟槽MOSFET和超极结MOSFET。平面MOSFET的有源区域靠近裸片的表面（见图1a）。为了减少RDS（on）,需要额外的管芯面积,并且为了增加MOSFET的电压,必须使管芯更厚。相比之下,超极结MOSFET（见图1b）使用其芯片深度来增加通道面积,这明显降低了其给定裸片面积的RDS（on）。

关 键 词：MOSFET 电源选择 离线开关 RDS(ON) 有源区 面积 平面 管芯 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]