UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗  

出　　处：《半导体信息》2019年第6期3-5,共3页Semiconductor Information

摘　　要：美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mQ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7 md,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16 mQ。所有器件都采用通用型TO247封装。

关 键 词：电池充电器 DC/DC转换器 固态断路器 碳化硅 RDS FET SiC 逆变器 

分 类 号：R72[医药卫生—儿科]