P沟道MOSFET

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Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET以提高系统能效和功率密度
《半导体信息》2021年第2期19-19,共1页
Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80V TrenchFET MOSFET——SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13mmX 6.15mm PowerPAK...
关键词：导通电阻 功率密度 系统能效 FET 
Nexperia发布P沟道MOSFET 采用节省空间的坚固LFPAK56封装
《半导体信息》2020年第3期21-22,共2页
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,...
关键词：占位面积 空间利用率 NEXPERIA DPA 替代产品 系列产品 封装 节省空间 
10步法则:实用的MOSFET选型方法
《今日电子》2017年第11期39-42,共4页刘松 
1.功率MOSFET选型第一步：P管,还是N管 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。
关键词：功率MOSFET 选型方法 N沟道MOSFET P沟道MOSFET 法则 成本低 在系统 型号 
用于汽车LED照明的全新线性电流稳压器
《今日电子》2016年第12期65-66,共2页
符合AEC-Q100标准的A6274和A6284器件包括了许多新功能，以便进一步提升现有的线性LED驱动器产品系列的性能。这些新的低电磁干扰IC集成有一个可选的预稳压（pre-regulator）栅极驱动，能够动态和线性地控制外部P沟道MOSFET。
关键词：线性电流 稳压器 LED照明 P沟道MOSFET 汽车 LED驱动器 栅极驱动 电磁干扰 
提供高达20A输出电流的DC／DC控制器
《今日电子》2015年第4期67-67,共1页
LT8709是负至负或负至正DC／DC转换的同步PWM控制器。该器件无须复杂的电平转换电路，就能够独特地解决相对于系统地的负电压的调节问题。LT8709的同步工作意味着，一个高效率P沟道MOSFET取代了输出二极管，因此提高了效率，允许更大的...
关键词：DC/DC控制器 输出电流 P沟道MOSFET DC/DC转换 PWM控制器 电平转换电路 同步工作 电源设计 
Si7157DP：P沟道MOSFET
《世界电子元器件》2014年第3期29-29,共1页
Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Q和0．0020Ω。
关键词：P沟道MOSFET 功率MOSFET 低导通电阻 
Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET
《中国集成电路》2014年第3期3-3,共1页
日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016...
关键词：P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻 电子设备 INC 
面向空间受限应用的中压MOSFET
《今日电子》2014年第3期64-65,共2页
FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC86139P100VP沟道MOSFET。与同类器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数（FOM）。此外，其导...
关键词：P沟道MOSFET 中压 应用 空间 开关性能 开关速度 品质因数 开关损耗 
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
《半导体信息》2014年第1期5-5,共1页赵佶 
Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备...
关键词：P沟道MOSFET RDS VISHAY on 导通电阻 移动电子设备 电源效率 欠压锁定 占位面积 
Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
《电子设计工程》2014年第3期167-167,共1页
日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020...
关键词：P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻 电子设备 INC 
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