Si7157DP：P沟道MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2014年第3期29-29,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay推出具有业内较低导通电阻的新款P沟道MOSFETSi7157DP，扩充其T怕nchFETP沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Q和0．0020Ω。

关 键 词：P沟道MOSFET 功率MOSFET 低导通电阻 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]