Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET  

出　　处：《中国集成电路》2014年第3期3-3,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：日前，Vishay Intertechnology，Inc．（威世科技）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET——Si7157DP，扩充其TrenchFET P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay SiliconixSi7157DP在-10V和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016Ω和0．0020Ω，可提高移动电子设备的效率。

关 键 词：P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻 电子设备 INC 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]