N沟道MOSFET

作品数：137被引量：7H指数：1
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基于分层策略的双向均衡技术
《中国科技信息》2018年第21期56-56,共1页刘亚运 
随着能源和环境问题的加剧,在行驶过程中几乎不会产生任何污染的电动汽车得到大力发展,作为电动汽车驱动能源的电池的性能决定着电动汽车的整体性能。由于需要对单体电池进行串并联组成电池包为电动汽车提供能量,实际上,即使是新生产的...
关键词：均衡技术 分层策略 N沟道MOSFET 串联电池组 电动汽车 单体电池 均衡电路 电池包 
150V双通道同步降压型DC/DC控制器被引量：1
《今日电子》2018年第5期65-65,共1页
〈br〉＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;今日电子,2018,05,65〈br〉＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;＆nbsp;〈正〉LTC7810是一款高电压非隔离式双输出同步降压型DC/DC控制器,其用于驱动全N沟道MOSFET功率级。其4.5～140...
关键词：DC/DC控制器 降压型 同步 双通道 N沟道MOSFET 输入电压 非隔离式 电压浪涌 
35V可热插拔的超级电容器后备电源控制器
《今日电子》2018年第3期58-58,共1页
LTC3351是一款超级电容器充电器和后备电源控制器IC，包括了热插拔前端保护以及所有必要功能，以提供一个完整、独立、基于电容器的后备电源解决方案。LTC3351集成的热插拔控制器和电路断路器采用N沟道MOSFET，提供从输入到输出的低损...
关键词：超级电容器 可热插拔 电源控制器 N沟道MOSFET 热插拔控制器 后备电源 控制器IC 电路断路器 
凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001
《电源世界》2017年第7期20-20,共1页
近日,亚德诺半导体旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001强大的...
关键词：凌力尔特 LTC7001 N沟道MOSFET 高频开关 栅极驱动 传播延迟 电源电压 德诺 电泵 转换时间 
凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004
《电源世界》2017年第9期19-19,共1页
9月初,亚德诺半导体（Analog Devices,Inc.,简称ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004,该器件用高达60V的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而...
关键词：N沟道MOSFET MOSFET驱动器 高压侧 DEVICES 电源电压 接通时间 半导体 充电泵 
ADI推出有源整流器控制器LT8672
《电源世界》2017年第12期20-20,共1页
近日，亚德诺半导体（AnalogDevices，Inc．，简称ADI）公司宣布推出PowerbyLinearTM的有源整流器控制器LT8672，该器件具有至-40V的反向输入保护。其3V至42V输入电压能力非常适合汽车应用，这类应用具低至3．0V的最低输入电压和高达40...
关键词：有源整流器 控制器 ADI N沟道MOSFET 肖特基二极管 输入电压 输入保护 汽车应用 
10步法则:实用的MOSFET选型方法
《今日电子》2017年第11期39-42,共4页刘松 
1.功率MOSFET选型第一步：P管,还是N管 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。
关键词：功率MOSFET 选型方法 N沟道MOSFET P沟道MOSFET 法则 成本低 在系统 型号 
双向电子断路器
《今日电子》2017年第5期69-70,共2页
LTC4368能替代熔断器、瞬态电压抑制器和分立电路，从而实现一种用于避免电子线路遭受有害的过流，以及过压、欠压和反向电压状况之损坏的紧凑和全面型解决方案。LTC4368控制背对背N沟道MOSFET以在正常操作期间提供一条低损耗电流通路...
关键词：电子断路器 N沟道MOSFET 瞬态电压抑制器 分立电路 电子线路 反向电压 损耗电流 熔断器 
一体化隔离式Anyside开关控制器
《今日电子》2017年第5期63-63,共1页
LTM9100保护并监视高达1000V的高压DC电源。用于工业、数据通信、航空电子和医疗应用的高压电源需要受控接通，并需要隔离以控制电路保护、操作人员安全并断开接地通路。其内部的5kVRMS电气隔离势垒隔离了数字接口和开关控制器，从而可...
关键词：开关控制器 隔离式 一体化 N沟道MOSFET IGBT开关 高压电源 电路保护 DC电源 
LV8907UW三相电机控制器安森美半导体有限公司
《传感器世界》2016年第10期44-45,共2页
安森美半导体（oN）推出LV8907UW三相电机控制器，进一步扩展电机控制器产品阵容。该款高性能、功能丰富的器件支持从5．5V-20V（4．5v-40v瞬态）的工作电压范围，实现用于驱动三相无刷电机的精简的方案。LV8907uw集成门极驱动器以驱动6...
关键词：三相无刷电机 安森美半导体 电机控制器 N沟道MOSFET 门极驱动器 电压范围 最低成本 微控制器 
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