凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004  

出　　处：《电源世界》2017年第9期19-19,共1页The World of Power Supply

摘　　要：9月初,亚德诺半导体（Analog Devices,Inc.,简称ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004,该器件用高达60V的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。

关 键 词：N沟道MOSFET MOSFET驱动器 高压侧 DEVICES 电源电压 接通时间 半导体 充电泵 

分 类 号：TM407[电气工程—电器]