Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET以提高系统能效和功率密度  

出　　处：《半导体信息》2021年第2期19-19,共1页Semiconductor Information

摘　　要：Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80V TrenchFET MOSFET——SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13mmX 6.15mm PowerPAK S0-8L小型单体封装,10V条件下最大导通电阻仅为17.3mΩ/典型值为14.3mΩ。

关 键 词：导通电阻 功率密度 系统能效 FET 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]