NEXPERIA

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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
《世界电子元器件》2023年第12期33-33,共1页
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批...
关键词：电源开关 半导体器件 分立器件 通孔 可靠性标准 产品阵容 稳健性 充电桩 
三菱电机与Nexperia合作开发Sic功率半导体
《变频器世界》2023年第11期41-41,共1页
三菱电机集团近日(2023年11月13日)宣布,将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术为Nexperia开发和供应SiC MOSFET芯片,用于其开发SiC分立器件。
关键词：电子市场 功率半导体 三菱电机 分立器件 宽禁带半导体 战略合作伙伴关系 合作开发 共同开发 
Nexperia推出先进的I2C GPIO扩展器产品组合
《世界电子元器件》2023年第5期35-36,共2页
采用创新的可配置上拉电阻和引脚兼容封装基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合,旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款GPIO扩展器NCA9595采用可通过寄...
关键词：扩展器 I2C 上拉电阻 电子系统 设计工程师 半导体器件 产品组合 重复利用 
Nexperia推出全新电平转换器以支持传统和未来的手机SIM卡
《世界电子元器件》2022年第7期42-42,共1页
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品:NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展,先进SOC的核心...
关键词：电平转换器 电压转换器 SIM卡 半导体器件 基带处理器 I/O端口 个位数 无缝连接 
Nexperia推出首款带可焊性侧面、采用DFN封装的LED驱动器
《世界电子元器件》2020年第10期43-43,共1页
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布新推出一系列LED驱动器,采用DFN2020D-6(SOT1118D)封装,能有效节省空间。LED驱动器带可焊性侧面(SWF),可促进实现AOI(自动光学检测)并提高可靠性。这是LED驱动器首次采用这种有益...
关键词：LED驱动器 自动光学检测 可焊性 NEXPERIA AOI 产品组合 节省空间 量产 
聚焦汽车、5G及数据中心等应用:Nexperia深挖氮化镓技术的“潜能”
《汽车与配件》2020年第13期64-65,共2页陈琦 
Nexperia作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,拥有半导体行业的专业经验,能为市场提供多元化、高产能的产品组合,包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管及模拟和逻辑IC等,符合汽车行业的...
关键词：场效应晶体管 双极性晶体管 氮化镓 MOSFET器件 场效应管 数据中心 ESD保护器件 NEXPERIA 
Nexperia新一代650V GaN技术赋能汽车、5G等应用
《世界电子元器件》2020年第6期10-10,共1页
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用...
关键词：场效应管 氮化镓 级联结构 MOSFET驱动器 NEXPERIA GAN 导通性 半导体 
Nexperia发布P沟道MOSFET 采用节省空间的坚固LFPAK56封装
《半导体信息》2020年第3期21-22,共2页
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56(Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,...
关键词：占位面积 空间利用率 NEXPERIA DPA 替代产品 系列产品 封装 节省空间 
Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)
《半导体信息》2019年第6期12-13,共2页
分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/—20V,工作温度范围为一55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RD...
关键词：工作温度范围 MOSFET器件 氮化镓 低导通电阻 功率器件 场效应管 开关切换 栅极电压 
Nexperia率先推出以SOT23封装的175℃二极管及晶体管
《半导体信息》2019年第4期11-12,共2页
Nexperia宣布其以SOT23封装的高性能、通用晶体管及开关二极管系列的关键器件现已完全确定可在高达175℃的温度下工作。该产品范围包括业内最受欢迎的高速开关二极管BAS16/21和BC807/817通用晶体管。175℃SOT23器件的Ptot(总功耗)亦比...
关键词：晶体管 SOT23 二极管 NEXPERIA 
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