Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)  

出　　处：《半导体信息》2019年第6期12-13,共2页Semiconductor Information

摘　　要：分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/—20V,工作温度范围为一55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60mQ)以及快速的开关切换;效率非常高。

关 键 词：工作温度范围 MOSFET器件 氮化镓 低导通电阻 功率器件 场效应管 开关切换 栅极电压 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]