Nexperia新一代650V GaN技术赋能汽车、5G等应用  

出　　处：《世界电子元器件》2020年第6期10-10,共1页Global Electronics China

摘　　要：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET驱动器也可以很容易地驱动它们。

关 键 词：场效应管 氮化镓 级联结构 MOSFET驱动器 NEXPERIA GAN 导通性 半导体 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]