Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET  

出　　处：《电子设计工程》2014年第3期167-167,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020Q，可提高移动电子设备的效率。

关 键 词：P沟道MOSFET RDS(ON) 功率MOSFET 低导通电阻 电子设备 INC 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]