安世半导体低RDS(on)功率MOSFET问市树立25V、0.57mΩ新标杆  

出　　处：《半导体信息》2020年第1期11-12,共2页Semiconductor Information

摘　　要：安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25V、0.57mΩ的新标准。

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分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]