意法半导体推出全新VIPower^(TM) MOSFET功率管  

出　　处：《半导体信息》2018年第4期14-14,共1页Semiconductor Information

摘　　要：意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS（ON）的VI—PowerTM MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。

关 键 词：MOSFET 意法半导体 功率管 RDS(ON) 低导通电阻 电压范围 连续电流 插入损耗 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]