邹德惠

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文主题：中子注量直流增益硅双极晶体管晶体三极管脉冲更多>>
发文领域：核科学技术电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《核技术》更多>>
所获基金：中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
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双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究被引量：3
《核技术》2015年第9期40-44,共5页鲁艺 邱东 李俊杰 邹德惠 荣茹 
瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,获...
关键词：双极晶体管 瞬时辐照效应 脉冲中子辐照 直流增益 中子注量 
基于晶体三极管的不同中子能谱等效性实验研究被引量：3
《核技术》2014年第6期60-65,共6页鲁艺 邱东 邹德惠 荣茹 
中国工程物理研究院科技发展基金项目(No.2012B0103006)资助
辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变...
关键词：辐射效应 损伤常数 等效性系数 硅双极晶体管 快中子临界装置 
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