多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型  

Low Temperature BJT Model With Polysilicon Emitter

作　　者：吴金[1] 郑茳[1] 魏同立 

机构地区：[1]东南大学微电子中心

出　　处：《微电子学与计算机》1991年第10期41-44,23,共5页Microelectronics & Computer

摘　　要：在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟双极晶体管的低温电学性能.

关 键 词：双极晶体管 低温 器件模型 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]