双层多晶硅

作品数：10被引量：11H指数：2
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宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器被引量：1
《微纳电子技术》2015年第12期765-769,810,共6页雷程 毛海央 欧文 薛晨阳 唐力程 杨涛 陈大鹏 熊继军 
国家自然科学基金资助项目(61401458;61335008;61136006;51205373);江苏省自然科学基金资助项目(BK20131098);河南省科技开放合作项目(132106000073)
报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器。该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF_2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷。在器件制备的基础...
关键词：热电偶 真空度 双层多晶硅 微电子机械系统(MEMS) 灵敏度 
SiGe HBT器件的研究设计被引量：1
《半导体技术》2010年第1期58-62,共5页米保良 吴国增 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 多晶发射极 特征频率 双层多晶硅 
一款微波双极晶体管的设计和实现被引量：1
《半导体技术》2008年第9期780-783,共4页米保良 吴国增 
聊城大学东昌学院高科技发展项目
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构。对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、-βIC曲线等关键参数进行了模拟。模拟器件最高特...
关键词：双极晶体管 特征频率 双层多晶硅 增益 
一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2007年第6期669-673,共5页李荣强 谢正旺 曾鹏 
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路。
关键词：双层多晶硅 自对准 PNP 互补双极 
亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究
《电子与封装》2005年第9期29-33,共5页张志勇 海潮和 
本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管。其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的...
关键词：亚微米工艺 自对准技术 双层多晶硅 双极晶体管 原位掺杂 
双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第6期637-642,共6页黄飞鸿 郑国祥 吴瑞 
介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可...
关键词：FLOTOX EEPROM 阈值电压 写入 隧道氧化层 
77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1207-1211,共5页叶红飞 高玉芝 金海岩 罗葵 宁宝俊 莫邦燹 张广勤 张利春 
研究了掺磷双层多晶硅 RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性 .在工艺中采用自对准双极结构 ,生长一层 RCA超薄氧化层 ,并用快速热退火处理 RCA氧化层 .研制的多晶硅发射区 RCA晶体管不仅具有较低的电流增益 -温度依赖关系 ,而且还具有...
关键词：RCA晶体管 ECL集成电路 双层多晶硅 发射区 
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第3期345-349,共5页张利春 高玉芝 金海岩 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗葵 叶红飞 赵宝瑛 张广勤 
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效...
关键词：双层多晶硅 复合介质L型侧墙 发射极晶体管 集成电路 
光电成像与器件
《中国光学》2000年第6期50-50,共1页
TN386.5 2000064052高帧速CCD摄像器件的设计=Design of CCD imagesensors for high speed imaging[刊,中]/张坤(重庆光电技术研究所.重庆(400060))//红外与激光工程.—1999,28(2).—58-61设计了光敏元尺寸18 μm× 18μm512(H)× 512(V...
关键词：摄像器件 高帧速 器件设计 光纤面板 双层多晶硅 性能参数 工作模式 激光工程 技术研究所 双层金属 
双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计被引量：3
《应用科学学报》1997年第1期82-88,共7页于宗光 许居衍 王鸿宾 魏同立 
江苏省青年科技基金
建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＥＯＭ存储管的阈值电压模型，利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系，采用１．４μｍＣＭＯＳ工艺设计了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘ单元。模拟结果和...
关键词：浮栅隧道氧化物 EEPROM 只读存贮器 双层多晶硅 
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