黄飞鸿

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：阈值电压场板EEPROM双层多晶硅集成电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《复旦学报（自然科学版）》更多>>
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双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第6期637-642,共6页黄飞鸿 郑国祥 吴瑞 
介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可...
关键词：FLOTOX EEPROM 阈值电压 写入 隧道氧化层 
高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2002年第2期145-150,共6页吴瑞 黄飞鸿 郑国祥 宗祥福 
模拟和验证了一种低成本的 ,以标准CMOS工艺为基础 ,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术 .讨论了低压器件中的各种击穿机理 ,相应提出了高压器件中所做出的改进 ,列举了该工艺技术中所用到的特殊版图 ;对此工艺的应用性进行了二维...
关键词：高压CMOS管 工艺 设计 模拟 验证 SVX工艺技术 拐角击穿 场板 集成电路 
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