多晶发射极

作品数：4被引量：2H指数：1
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高频双极晶体管工艺特性研究被引量：1
《电子与封装》2019年第7期40-44,共5页赵圣哲 张立荣 宋磊 
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工...
关键词：高频双极晶体管 集电极深N阱 多晶硅刻蚀 多晶发射极 
SiGe HBT器件的研究设计被引量：1
《半导体技术》2010年第1期58-62,共5页米保良 吴国增 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 多晶发射极 特征频率 双层多晶硅 
基于BiCMOS工艺的D类功率放大器设计
《电子与封装》2009年第5期28-30,38,共4页朱洲 李冰 肖志强 
文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构,并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求,开发了基于0.6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器,在5...
关键词：D类功率放大器 死区控制 H桥 BICMOS工艺 多晶发射极 便携式 
Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀
《电子与封装》2004年第2期47-49,5,共4页郑若成 刘丽艳 徐政 
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬...
关键词：Bipo1ar技术 多晶发射极 腐蚀 双极CMOS兼容 实验设计 
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