于宗光

作品数：15被引量：13H指数：2
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供职机构：无锡微电子科研中心更多>>
发文主题：EEPROM集成电路CMOS可靠性电可擦除更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《应用科学学报》《微电子技术》《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
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CMOS集成电路静电泄漏实验分析被引量：1
《微电子技术》2002年第2期27-33,共7页于宗光 徐冬娣 
江苏省自然科学基金 (BK99188);国防科技重点实验室基金 (99JS0 3 1 1 DZ0 6 0 1)资助
CMOS集成电路的静电损伤一直是影响其可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1μm以下时 ,在减小芯片I/OPAD尺寸、提高工作频率的同时 ,保证较高的抗静电能力就显得尤为重要。本文首先对两种 1μmMOS集成电路进行静电击穿实验 ,并对实...
关键词：CMOS 集成电路 静电泄漏实验 
采用电子束探针测试(EBT)的IC单元设计验证技术被引量：1
《微电子技术》2000年第4期6-10,共5页焦慧芳 于宗光 
国防重点实验室(电子元器件可靠性物理及应用技术)资助
本文用电子束探针测试技术对ＩＣ单元电路进行了设计验证，包括功能验证和延迟参数的验证。快速准确地完成了电路内部的故障定位，完成了输入、输出的延迟测量及内部数门的延迟测量，测试结果准确可信。这一技术尝试，为集成电路的设计...
关键词：电子束探针 单元设计 集成电路 
CMOS门阵列及其应用
《世界产品与技术》2000年第7期23-28,共6页于宗光 张洪涛 
关键词：CMOS 门阵列 集成电路 
高温超导引线的传输特性
《微电子技术》2000年第3期5-13,共9页于宗光 钱文生 
国防预研基金资助项目
从电磁学理论入手 ,给出了引线的基本理论。对高温超导引线的传输特性进行了分析 ,并对金属引线和超导引线的性能进行了比较。得到以下结论 :( 1 )在超导能隙频率下 ,金属引线的衰减系数比高温超导引线大几个数量级 ;( 2 )金属引线的相...
关键词：超导引线 传输特性 电磁学 
超导/半导体兼容技术
《微电子技术》2000年第2期1-7,共7页于宗光 张国华 钱文生 
国防预研基金资助项目
本文首先阐述了超导 /半导体兼容技术的应用领域 ,然后给出了超导 /半导体兼容器件、电路、系统的基本构成及优点 ,最后介绍了超导技术的研究热点。
关键词：超导 半导体 兼容技术 
硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备被引量：1
《半导体技术》2000年第4期40-46,共7页于宗光 钱文生 
国防预研基金!98J.8.3.4.DZ0602
研究了采用单靶磁控溅射在Si（100）衬底上生长YSZ（钇稳定的ZrO2）和BSCCO（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件，包括生长温度、生长气氛，生长速率及氧化退火等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系，并获得了超导膜临界温度为82K的B...
关键词：高温超导膜 BSCCO 硅衬底 
一种正负输入电压ASIC的输入保护电路设计被引量：1
《半导体技术》2000年第3期57-59,共3页于宗光 叶守银 夏树荣 徐征 杨功成 
江苏省自然科学基金资助项目
提出一种适用于正负输入电压专用集成电路的输入保护电路。该电路设计思想新颖 ,可在不影响电路工作的情况下 ,对正负过压都能起良好的保护作用。
关键词：MOS 专用集成电路 输入保护电路 设计 
高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
《固体电子学研究与进展》1999年第3期329-336,共8页于宗光 许居衍 魏同立 
江苏省青年科技基金
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老...
关键词：浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管 
EEPROM失效机理初探被引量：5
《固体电子学研究与进展》1997年第2期127-133,共7页于宗光 许居衍 魏同立 
江苏省青年科技资金!BQ96040
在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。
关键词：电可擦除 可编程 只读取存储器 可靠性 失效 
改进的电压倍增器模型及其应用被引量：2
《东南大学学报（自然科学版）》1997年第1期82-86,共5页于宗光 魏同立 许居衍 王鸿宾 
江苏省青年科技基金
分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系．模型计算结果和ＳＰＩＣＥ模拟结果吻合良好．在考虑了电流驱动能...
关键词：电压倍增器 升压电路 CMOS 升压值 
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