电可擦除

作品数：34被引量：22H指数：3
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一种ECC校验算法的设计与实现被引量：4
《电子与封装》2020年第2期32-37,共6页刘梦影 蔡阳阳 
江苏省科技成果转化高性能实时微处理器系列产品研发及产业化(BA2019012)
电可擦除可编程存储器(EEPROM)由于工艺结构的局限性而导致数据在存储过程中存在小概率的位反转问题。为解决该现象,设计了基于汉明码的纠错码(ECC)校验系统。结合EEPROM的结构特点和数据存储模式,该系统包含ECC校验码计算模块和数据检...
关键词：电可擦除可编程存储器 纠错码 串行外设接口 
一种健康管理芯片中数字控制保护电路的设计与实现被引量：1
《现代雷达》2019年第9期71-75,82,共6页吴俊杰 徐宏林 张浩 
数字控制保护电路是健康管理芯片的重要组成部分。健康管理芯片对发射组件进行保护,具有电流检测、温度检测、过流保护、过温保护、脉宽占空比保护、寿命记录等功能。数字控制电路进行参数配置与存储,用逻辑运算处理模数转换后的信号,...
关键词：健康管理 电流检测 电可擦除只读存储器 占空比保护 
一种新颖的基于嵌入式纳米晶体flash技术的32位MCU
《科技传播》2012年第24期230-231,共2页赵武玲 赵红坡 
近期飞思卡尔提出了一种全新的高性能的32位微控制器,它集成了基于纳米晶体为存储介质的分裂栅薄膜flash的存储器,而且提供嵌入式的EEPROM的功能。这种薄膜flash存储器具有很快的读取访问速度,快速的编程(10us～20us)和擦除时间(1ms～20...
关键词：分裂栅薄膜闪存 纳米晶体 嵌入式闪存 尺寸缩小 电可擦除只读存储器 
嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用被引量：3
《电子元器件应用》2010年第11期22-23,27,共3页邓思园 于忠臣 
嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对...
关键词：非易失性存储器 电可擦除只读存储器 闪存 片上系统 
EEPROM驱动程序的开发设计
《网络与信息》2010年第3期26-26,共1页张帅 
1引言 电可擦除、可编程只读存储器（Elec—rically Erasable Programmable Read—Only Memory，以下简称为EEPROM），具有存取速度快，可以随机访问．并在掉电时，不会丢失任何信息等优点。对EEPROM进行编程时，无须将它从原插座中取...
关键词：EEPROM 驱动程序 可编程只读存储器 设计 开发 MEMORY 电可擦除 存取速度 
基于FPGA的可靠性E^2PROM控制器设计
《微计算机信息》2009年第20期146-148,193,共4页接辉 顾文灿 
E2PROM是较常用的存储器件。但在特殊的场合,其可靠性或其使用寿命对系统的正常运行有很大影响。为此介绍了I2C总线及E2PROM的工作原理,提出了一种具有较高可靠性的E2PROM控制器的设计方法,并在FPGA中用VHDL进行了实现。经过功能仿真和...
关键词：电可擦除只读存储器 现场可编程门阵列 硬件描述语言 芯片内总线 有限状态机 
MCS-51单片机与串行E^2PROM 24LC系列接口技术
《电子制作》2009年第9期15-18,共4页白炳良 
24LC系列为电可擦除串行CMOS E^2PROM．其功耗极小。宽电源电压（2．5～5．5V）。工作电流约1mA，最大静态电流为5μA。存储容量分别为：24LC01B（128×8）、24LC02B（256×8）、24LC04B（512×8）、24LC08B（1K×8）、24LC16B（2K×8）...
关键词：串行E^2PROM MCS-51单片机 接口技术 CMOS 电可擦除 电源电压 工作电流 静态电流 
64kB电可擦除只读存储器研究与设计被引量：2
《电子与封装》2009年第3期21-23,26,共4页杜支华 陶宇峰 王晓玲 陈芳 
文章通过对电可擦除可编程只读存储器工作原理的研究,掌握了该存储器的设计技术和工艺加工技术,特别是关键模块(如软硬件数据保护、页写、全片擦除等)的设计技术,在此基础上研制了一种存储容量为64kB的EEPROM。64kB EEPROM的特殊结构保...
关键词：EEPROM 页写 数据保护 
高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术
《电子与封装》2008年第7期31-33,42,共4页封晴 徐政 钱宏文 
电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0.8μm电可擦除只读存储...
关键词：非易失性存储器 电可擦除只读存储器 CMOS 工艺 嵌入EEPROM 
RS45C：16位安全MCU
《世界电子元器件》2008年第4期48-48,共1页
Reneses推出面向高度安全性智能卡应用的安全MCURS45C，采用RS．4高性能16位CPU内核构建，集成了36kB电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM）以及224kB的大容量掩模ROM。
关键词：安全性 MCU 可编程只读存储器 电可擦除 智能卡 CPU ROM 大容量 
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