陷阱电荷

作品数：31被引量：107H指数：5
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聚醚酰亚胺纳米复合电介质中指数分布陷阱电荷跳跃输运对储能性能的影响被引量：1
《物理学报》2024年第2期14-25,共12页宋小凡 闵道敏 高梓巍 王泊心 郝予涛 高景晖 钟力生 
国家自然科学基金(批准号:52077162);国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金(批准号:U1830131);电力设备电气绝缘国家重点实验室(批准号:EIPE22301)资助的课题。
目前常见聚合物电介质电容器的储能性能在高温下会急剧劣化,难以满足航空航天和能源等领域的需求.为提高介质高温储能性能,常掺杂纳米填料对电介质改性,通过改变电介质内部陷阱参数来调控电荷输运过程,但其内部陷阱的能级和密度与储能...
关键词：陷阱能级和密度 储能密度 充放电效率 纳米复合电介质 
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响被引量：1
《半导体技术》2023年第6期463-469,共7页刘兆慧 尉升升 于洪权 尹志鹏 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压不稳定性 栅氧化层陷阱电荷 界面陷阱电荷 可动电荷 
背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理
《固体电子学研究与进展》2022年第6期449-455,共7页王海洋 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);国家自然科学基金资助项目(12075313);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430,2018473)。
研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著...
关键词：绝缘体上硅 掩埋氧化物 背栅调控 总剂量辐照 
电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期903-907,共5页魏莹 崔江维 蒲晓娟 崔旭 梁晓雯 王嘉 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11805268);中国科学院“西部青年学者”基金资助项目(2021-XBQNXZ-021);中国科学院青年创新促进会基金资助项目(2018473)。
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前...
关键词：电离总剂量效应 高K栅介质 经时击穿效应 辐射陷阱电荷 
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：2
《微电子学》2022年第4期706-710,共5页黄柯月 吴中华 周淼 陈伟中 王钊 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
关键词：总剂量辐射 SOI pLDMOS 击穿电压 辐射陷阱电荷 
HfO_(2)/SiO_(2)-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应
《现代应用物理》2022年第2期129-136,共8页姜文翔 张修瑜 王佳良 崔博 孟宪福 于晓飞 李嫚 石建敏 薛建明 王新炜 
科学挑战计划资助项目(TZ-2018004)。
基于γ辐照和退火过程的电容电压和电导电压曲线,分析了氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷的变化规律,研究了HfO_(2)/SiO_(2)-Si结构MOS器件的^(60) Coγ辐照及退火效应。研究结果表明:当辐照剂量为500 Gy时,氧化层陷阱电荷以俘获负电荷为主...
关键词：辐照效应 退火效应 MOS器件 氧化层陷阱电荷 界面陷阱电荷 
基于极化-去极化电流测试的XLPE中陷阱电荷脱陷特性被引量：5
《高电压技术》2020年第9期3194-3201,共8页李明志 周凯 黄科荣 饶显杰 龚军 
中国博士后科学基金资助项目(2015T80976)。
为了通过空间电荷脱陷行为反映电缆XLPE绝缘老化程度,提出了一种从XLPE绝缘介质的极化-去极化电流(polarization and depolarization current,PDC)中提取出脱陷电流ide-trap的方法与相应的陷阱电荷密度Anτn和陷阱深度τn的计算方法。...
关键词：极化去极化 空间电荷 XLPE 电荷密度 陷阱深度 
LDMOS器件抗辐射关键工艺研究
《微处理机》2020年第4期19-22,共4页刘旸 于姝莉 
随着开关稳压电源、驱动器等功率集成电路在航天设备上的应用越来越广泛,技术领域对具备抗辐射加固能力的电压类及驱动类电子元器件的需求也越发迫切。通过对LDMOS器件在辐射环境中的失效机理展开分析,确认LDMOS器件抗辐射技术中栅氧化...
关键词：抗辐射加固 总剂量效应 陷阱电荷 负电荷 
深陷阱对有机磷光双掺杂体系电致发光器件效率衰退的影响被引量：1
《光谱学与光谱分析》2019年第4期1018-1024,共7页王浩 赵谡玲 徐征 宋丹丹 乔泊 王鹏 郑伟业 魏鹏 
国家重点研发计划(2017YFB0404501)资助
研究利用溶液法制备的有机磷光双重掺杂体系电致发光器件的光致发光特性与电致发光特性,并研究了在这种体系中深能级陷阱导致的器件效率衰退现象。首先利用紫外光谱仪和光致瞬态寿命测试系统对基于旋涂法制备的以宽带隙材料4,4’-bis(N-...
关键词：有机磷光电致发光器件 双掺杂 陷阱电荷 瞬态电致发光 
辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
《现代应用物理》2017年第4期43-47,共5页魏莹 崔江维 郑齐文 马腾 孙静 文林 余学峰 郭旗 
利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分...
关键词：TCAD仿真 深亚微米MOS器件 总剂量辐射效应 辐射陷阱电荷 
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