深亚微米MOS器件

作品数：4被引量：12H指数：2
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相关作者：刘红侠郝跃孙志陈雷孙华波更多>>
相关机构：西安电子科技大学北京大学中国科学院中国航天北京微电子技术研究所更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体杂志》《原子能科学技术》《现代应用物理》更多>>
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辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真
《现代应用物理》2017年第4期43-47,共5页魏莹 崔江维 郑齐文 马腾 孙静 文林 余学峰 郭旗 
利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N沟道MOSFET转移特性的影响。构建了0.18μm N沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况。分...
关键词：TCAD仿真 深亚微米MOS器件 总剂量辐射效应 辐射陷阱电荷 
辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究被引量：5
《原子能科学技术》2013年第5期842-847,共6页丁李利 郭红霞 陈伟 范如玉 王忠明 闫逸华 陈雷 孙华波 
国家自然科学基金资助项目(10875096)
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实...
关键词：辐照偏置 总剂量效应 MOS器件 解析模型 器件仿真 
深亚微米MOS器件的热载流子效应被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第6期770-773,共4页刘红侠 郝跃 孙志 
国防科技电子预研资助项目! (No.G982 5 741)
对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影...
关键词：深亚微米 MOS器件 热载流子效应 可靠性 
深亚微米MOS器件的物理、结构与工艺被引量：2
《半导体杂志》2000年第1期35-39,共5页刘艳红 赵宇 王美田 胡礼中 魏希文 
本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。
关键词：深亚微米 MOS器件 物理 结构 工艺 集成电路 
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